În timpul procesului de creștere a cristalului, electrozii de grafit rămân într-un mediu de vid cu argon la temperaturi cuprinse între 1420 și 1650 de grade Celsius. Porii interni ai grafitului obișnuit conțin încă vapori de apă reziduali, substanțe organice volatile și urme de impurități de bor și fosfor. Aceste substanțe eliberează continuu gaze, care poluează topitura de siliciu și provoacă scăderea rezistivității plachetelor de siliciu, creșterea densității de dislocare a cristalului și scăderea semnificativă a randamentului bateriilor/cipurilor. Acest produs este supus unui pre-tratament de degazare în vid de 1600-grade-pe termen lung, îndepărtând complet componentele interne volatile libere. Rata totală de emisie de gaze este de ordinul a 10⁻¹⁰ Pa・m³/s. Conținutul de impurități de bor și fosfor este mai mic sau egal cu 0,01 ppm. Este potrivit pentru linii de producție de siliciu fotovoltaic monocristal de 12-inchi, siliciu de rafinare a zonei semiconductoare de 8 inchi și linii de producție de substrat de carbură de siliciu. Este un consumabil de bază pentru domeniul termic în fabricarea materialelor fotovoltaice și semiconductoare din siliciu.
CZ fotovoltaic care extrage siliciu monocristalin pentru producția de masă (achiziționat în principal de fabrici fotovoltaice de peste mări)
Potrivit pentru cuptoare monocristaline cu extragere de 6–12 inchi de dimensiuni mari-, cu un singur ciclu lung de cristalizare de până la 120–180 de ore. Electrozii mențin generarea stabilă de căldură pe tot parcursul procesului, fără nicio eliberare bruscă de gaz care interferează cu convecția topiturii de siliciu. Se adoptă procesul de pasivare de etanșare a micro-găurilor, în care porii minuscul de pe suprafața grafitului sunt etanșați cu un strat de carbon uniform și dens, prevenind coroziunea prin penetrarea vaporilor de siliciu sub atmosfera de argon. Suprafața electrodului nu are pulbere sau scurgere de particule de carbon, evitând impuritățile excesive de carbon în materialul de siliciu.
Conținutul de impurități de bor și fosfor este strict controlat, eliminând abaterea intervalului de rezistență al plachetelor de siliciu de tip N-tip / P-. Amplitudinea de fluctuație a duratei de viață a purtătorului minoritar a monocristalului per lot este controlată în ± 3μs, în comparație cu electrozii obișnuiți de grafit, randamentul monocristalului crește cu 12%-18%. Eroarea de uniformitate a rezistivității electrodului este mai mică sau egală cu 0,3μΩ・m, diferența de temperatură a câmpului termic din interiorul cuptorului este stabilizată la ±4 grade, asigurându-se că proporția secțiunii cu diametru constant a tijei de siliciu este mai mare sau egală cu 92%, reducând semnificativ pierderile de materie primă.
Aplicație la nivel de top-chip de siliciu de înaltă puritate-zonă FZ de semiconductor
Pentru condiții de creștere cu o zonă de topire de 8-inci și mai mici, siliciu de înaltă-puritate (siliciu de puritate ultra{-9N), acest produs respectă standardul de grafit curat pentru semiconductor SEMI F63. Întregul proces nu conține adezivi organici și impurități volatile care conțin sulf. Conținutul total de impurități de tranziție metalică Fe/Ni/Cu este mai mic sau egal cu 0,2 ppm. Caracteristica scăzută de evacuare poate menține gradul de vid în cuptor stabil la 10⁻⁷ Pa sau mai mult, iar cantitatea de eliberare volatilă este mai mică decât cea a produselor standard din industrie cu 90%. Evită complet defectele, cum ar fi scurgerile de așchii și tensiunea de defectare insuficientă cauzată de urme de impurități.
Poate fi personalizat cu o structură de electrozi gol{0}}răcită cu apă. În timpul creșterii cristalelor, temperatura corpului electrodului este redusă cu 300 de grade, suprimând și mai mult evacuarea la temperatură înaltă-și adaptându-se la producția de topire continuă a zonei de-frecvență înaltă. Un singur electrod poate fi utilizat stabil pentru mai mult de 600 de cuptoare, satisfacând cererea continuă de producție a fabricilor de semiconductori.
Kit de creștere a cristalelor cu substrat de carbură de siliciu cu carbonizare SiC (domeniul emergent al semiconductorilor de generația a treia{0})
Temperatura de creștere a SiC este de 2100-2400 de grade. La temperaturi atât de ridicate, grafitul obișnuit este predispus să elibereze CO și gaze de hidrocarburi, care pot deteriora integritatea rețelei de SiC. Acest produs este supus unei procesări duale de grafitizare la temperatură ultra-de 2700 de grade și degazare în vid. Cantitatea totală de substanțe gazoase eliberate la temperaturi ridicate este extrem de scăzută. De asemenea, are capacitatea de a rezista la coroziune cu vapori de carbon de siliciu la temperaturi ultra{-înalte-, are un coeficient de dilatare termică extrem de scăzut și nu prezintă fisuri sau deformare în timpul ciclurilor ciclice de încălzire și răcire de 2400 de grade.
Electrozii pot fi potriviți cu dimensiuni ne-standard ale cuptoarelor verticale de creștere a cristalelor PVT SiC și suportă conexiuni de etanșare filetate segmentate. Fluctuațiile rezistenței de contact la punctele de conectare sunt extrem de mici, nu există puncte de evacuare locale de supraîncălzire și pot fi produse substraturi stabile de SiC cu densitate redusă-defecte-.
Tehnologie exclusivă de procesare diferențiată (complet diferită de electrozii obișnuiți de grafit de vid)
1. Selectarea materiei prime: selectați semifabricate de grafit izotrop cu granulație ultra{-fin{-(D{50=5μm), cu materie volatilă inițială Mai mică sau egală cu 0,03%, reducând baza de evacuare de la sursă;
2. Degazare cu vid pe mai multe niveluri: izolație în vid cu atmosferă inertă de 1600 de grade timp de 72 de ore, strat cu strat îndepărtând vaporii de apă, hidrocarburile libere și impuritățile solubile din pori;
3. Etanșarea micro-porilor: depunerea chimică de vapori-la temperatură joasă a stratului subțire de carbon pentru a umple micro-porii de suprafață, blocând canalele de eliberare a substanțelor volatile interne în exterior;
4. Prelucrare precisă fără stres-: tăiere lentă a firului + strunjire CNC în oglindă, fără fisuri de prelucrare, fără porozitate la suprafață, eliminând noi canale de evacuare după procesare;
5. Testare ne-distructivă: fiecare electrod finalizează detectarea heliului a ratei gazelor de eșapament, inspecția completă a impurităților ICP-MS și detectarea uniformității ratei de rezistență, însoțită de raportul de inspecție-la nivel de semiconductor pentru export.
Performanță de evacuare ultra-de gradul-semiconductorului
Rata totală de evacuare la condiția de creștere a cristalului de 1600 de grade este mai mică de 8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s, eliberarea componentelor volatile de hidrocarburi este mai mică de 0,01 ppm, ceea ce este cu 95% mai mică decât cea a electrozilor de grafit de vid convenționali și elimină complet poluarea cu gaz de siliciu.
Control extrem de strict al impurităților de bor și fosfor (problema centrală a monocristalului)
Bor Mai mic sau egal cu 0,01 ppm, Fosfor Mai mic sau egal cu 0,01 ppm, fără interferențe de dopaj, uniformitatea rezistivității plachetei de siliciu este îmbunătățită cu 40%, potrivită pentru producția sincronă de siliciu monocristal de tip N/P.
Expirație scăzută fără structură de poluare cu carbon
Tratament de etanșare și pasivare a porilor micro-, porozitatea este redusă la sub 0,12%, în timpul procesului de creștere a cristalului, nu există vărsare de pulbere de grafit, creșterea impurităților de carbon în topitura de siliciu este mai mică de 0,02 ppm, ceea ce îndeplinește standardele de siliciu semiconductor de înaltă-puritate pentru fotovoltaic.
Câmp de căldură conductiv stabil-pe termen lung
Rezistivitatea la temperatura camerei este de 4,5–5,2 μΩ·m, eroarea uniformă a întregului electrod rezistiv este mai mică sau egală cu 0,3 μΩ·m, funcționare continuă la 1650 de grade timp de 180 de ore fără deriva de rezistență, diferența de temperatură a câmpului de căldură este mai mică sau egală cu ± 4 grade.
De ce să ne alegeți?
Linie de producție specializată pentru siliciu monocristalin, cu proces de degazare țintit
2. Sistem cuprinzător de control al impurităților dimensionale-semiconductorilor
3. Capacitate de personalizare-unică pentru adaptarea la cuptoarele cu un singur cristal-principale din întreaga lume
4. Îmbunătățirea randamentului producției de masă cu sprijin tehnic
5. Livrare stabilă la export și calificări complete de export. Avem întotdeauna în stoc produse fotovoltaice cu un singur cristal de-dimensiuni standard, iar articolele-personalizate pot fi livrate în 7-12 zile.
Tabelul parametrilor tehnici ai produsului
| Nu. | Articol de inspecție | Standard cu electrod din grafit cu cristal de siliciu cu eliberare redusă de gaze | Metoda de detectare a testului |
|---|---|---|---|
| 1 | Calitatea materiei prime | Grafit semiconductor izostatic 3D cu granulație-fină (D50=5μm) | Analizor laser de dimensiunea particulelor |
| 2 | Conținut fix de carbon | Mai mare sau egal cu 99,9998% | Analizor de carbon cu ardere{0}înaltă |
| 3 | Conținut total de cenușă | Mai mic sau egal cu 2 ppm | Detectarea elementelor complete ICP-MS |
| 4 | Conținut de impurități de bor | Mai mic sau egal cu 0,01 ppm | Spectrometria de masă cu plasmă cuplată inductiv |
| 5 | Conținut de impurități de fosfor | Mai mic sau egal cu 0,01 ppm | Testul de oligoelement ICP-MS Ultra- |
| 6 | Impuritatea totală a metalului de tranziție (Fe, Ni, Cu, Cr) | Mai mic sau egal cu 0,2 ppm | Scanare cu mai multe elemente ICP-MS{{1} |
| 7 | Rata totală de degazare (1600 de grade, vid) | ＜8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s | Tester de evacuare a gazului în vid pentru scurgeri de heliu |
| 8 | Eliberarea de hidrocarburi volatile | <0,01 ppm | Test de desorbție termică GC-MS |
| 9 | Rezistivitatea la temperatura camerei | 4.5 – 5.2 μΩ·m | Rezistivitate cu sondă în patru-puncte |
| 10 | Rezistivitate Uniformitate Abatere | Mai mic sau egal cu 0,3 μΩ·m | Scanare cu rezistență de înaltă-punct{0}}mai multe puncte |
| 11 | Densitate în vrac | 1,88 – 1,91 g/cm³ | Testul de densitate al lui Arhimede |
| 12 | Porozitate internă | ＜0.12 % | Porozimetrie cu intruziune de mercur |
| 13 | Coeficientul de dilatare termică (25–1600 grade) | 2,6 × 10⁻⁶ / grad | Dilatometru de{0}}înaltă temperatură |
| 14 | Cicluri de rezistență la șocuri termice (1650 grade ↔ RT) | Mai mare sau egal cu 900 de cicluri fără fisurare | Test de îmbătrânire a cuptorului cu ciclu termic |
| 15 | Durată de viață continuă (CZ Silicon Pulling) | 500+ loturi de creștere a cristalelor | Testul de îmbătrânire a funcționării efective a cuptorului |
| 16 | Interval de temperatură de lucru | 1420 – 2400 de grade (Atmosferă de vid cu argon) | Test de stabilitate la temperaturi ridicate |
| 17 | Tratarea suprafeței | Etanșare cu micropori și acoperire cu carbon de pasivare | Profilometru pentru rugozitatea suprafeței (Ra mai mic sau egal cu 0,6 μm) |
| 18 | Structură disponibilă personalizată | Tijă solidă / Răcit cu apă-/Imbinare filetată segmentată / Canelură specială | Desen de prelucrare personalizată CNC |
Tag-uri populare: Electrozi de grafit cu eliberare scăzută de gaz pentru creșterea cristalelor de siliciu, China electrozi de grafit cu degazare scăzută pentru creșterea cristalelor de siliciu producători, furnizori, fabrică, placă bipolară pentru pile de combustie, graphite ring mold, knife head graphite mold, metal cast graphite, pemfc bipolar plate, matriță de turnare sub presiune
